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商品详细信息：
类别 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 制造商 Vishay Siliconix FET 类型 N 通道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6.1A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 2 欧姆 @ 3.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 190 nC @ 10 V Vgs（最大值） ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2800 pF @ 25 V 功率耗散（最大值） 190W（Tc） 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 通孔 供应商器件封装 TO-247AC 封装/外壳 TO-247-3
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